LOS TRANSISTORES
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador ,oscilados,conmutador. Actualmente se encuentra en todos los aparatos electrónicos de usos diario . radios ,televisores ,computadoras,etc.
TIPOS:
DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) :
Llamado también transistor de punta de contacto ,fue le 1° transistor capaz de obtener ganancia ,inventado en 1947 por john bardeen y walter brattain .Consta de una base de germanio, semiconductor mas conocido que la combinación cobre-oxido de cobre sobre las que se apoyan dos punta metálicas que contiene el emisor y el receptor.
estos existen de dos maneras en NPN Y PNP ,estas regiones terminales son llamados colector-base-emisor.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO :
este transistor de efecto de campo de unión (JFET) .esta formado por una barreara de material semiconductor de silicio de tipo N o P .En los terminales de la barra se establece un contacto ohnmico ,tenemos así un transistor de campo tipo N de la forma básica si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre si se producirá una puerta.A unos de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro ordenador.Aplicado tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor ,estableceremos una corriente a la que llamaremos corriente de drenador con polirizacion cero. Con un potencial negativo al que llamamos tension de estrangulamiento , cesa la conducción en el canal.
TRANSISTOR DE INDUCCIÓN ESTÁTICA:
Es el dispositivo mas importante ,es un dispositivo portador portador mayoritario (unipolar) en el que ele flujo d electrones al drenaje es controlado por un potencial de barrera en ele semiconductor de dos dimensiones con forma de silla de montar entre las compuertas metálicas.Si el dopado y las dimensione laterales son escogidas adecuadamente ,la altura de potencial de barrera sera acumulado por la compuerta y drenaje. debido a que la corriente se incrementa exponencial-mente conforme el potencial de barrera es disminuido , las características de salida del SIT son usualmente no saturadas o manera "triodo" .pareciéndose a un triodo de tubo al vacio.
TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA:
un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia .Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacion del transistor bipolar. combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo .El circuito de excitación del IGTB es como el de MOSFET , mientras las características de conducción son como las de BJT.
CARACTERÍSTICAS:
el IGTB es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 khz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.Es usado en aplicaciones de alta y media energía como fuente conmutada ,control de la tracción en motores y cocina de induccion.
TRANSISTORES COOLMOS:
Estos son una tecnología de MOSFET de potencia para alto voltaje se implementa,mediante una estructura de compensación en la region vertical de un desplazamiento de un MOSFET para mejorar la resistencia ne estado activo .el COOLMOS es capaz de manejar dos o tres veces mas potencias de salida que la de un MOSFET convencional en ele mismo encapsulado.COOLMOS es una 5 veces mejor que la de un MOSFET normal.
